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电子气体

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高纯三氟化氮

高纯三氟化氮
分子式:NF3。
基本性质:气体分子量:71.01,熔点:–206.8℃(1atm),沸点:–129℃(1atm),临界温度:–39.3℃,临界压力:44.02atm(4.46MPa),液体密度:1554 kg/m3(1atm,沸点时),气体密度:2.95 kg/m3(1atm,21℃),水中溶解度(1atm,22℃):1.43×10-5当量浓度。纯净的NF3气体是一种无色无味的气体,当混入一定量的杂质气体后颜色发黄,同时会有发霉或刺激性气味。NF3气体不可燃,但能助燃。当温度超过350℃时,三氟化氮气体会缓慢分解,分解时产生强氧化性氟,因此,在高温下它是一种强氧化剂。
CAS No.:7783-54-2。
UN UN.:2451
危险性类别:第2.3类有毒气体,在空气中的最高允许含量为29mg/m3。
产品纯度: 99.99%~99.995%
产品包装:47L专用钢瓶,22kg/瓶;40L专用钢瓶,20kg/瓶;8L专用钢瓶,3.4kg/瓶;钢瓶标准:DOT-3AA, GB5099;阀门:CGA330、CGA640
产品用途:三氟化氮是用作氟化氢-氟化气高能化学激光器的氟源,在h2-O2 与F2之间反应能的有效部分(约25%)可以以激光辐射释放出,所HF-OF激光器是化学激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体,对硅和氮化硅蚀刻,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳与氧气的混合气体有更高的蚀刻速率和选择性,而且对表面无污染,尤其是在厚度小于1.5um的集成电路材料的蚀刻中,三氟化氮具有非常优异的蚀刻速率和选择性,在被蚀刻物表面不留任何残留物,同时也是非常良好的清洗剂。随着纳米技术的发展和电子工业大规模的发展技术,它的需求量将日益增加。
注意事项:如遇有NF3气体泄露,工作人员要马上撤离泄漏污染区,并尽可能采取措施阻止NF3气体的进一步泄露。如有工作人员中毒,应立即送往医院救治。泄露现场要尽快处理,处理泄露现场的工作人员必须配戴必要的防毒面具,最好是自给正压式呼吸器。泄露现场经检测无危害气体后方可进入工作人员,泄露容器必须经仔细检查、维修或妥善处理好后方可继续使用。NF3气瓶应储存于阴凉、通风仓库内,仓库温度不宜超过30℃。NF3气瓶应远离火种、热源、防止阳光直射,与还原剂、易燃或可燃物等分开存放。NF3气瓶在搬运时要轻装、轻卸,防止钢瓶及附件破损。NF3气瓶的运输按危险品运输。运输时用气瓶固定架将NF3气瓶固定好,用汽车公路运输或用轮船集装箱运输。

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